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型号
规格书
DRAM类型
容量
架构
速率
工作电压
工作温度
产品详情
K4AAG085WA-BCWE
DDR4
SAMSUNG三星
16 Gb
2G x 8
3200 Mbps
1.2 V
0 ~ 85 °C
78FBGA
Sample
四代双倍数据率同步动态随机存储器
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K4A8G085WC-BCTD
8Gb
1G x 8
2666 Mbps
Mass Production
K4A4G085WF-BCWE
4 Gb
512M x 8
78 FBGA
H5CG44AGBDX018N
SK hynix海力士
K4AAG045WA-BCWE
KLMBG1UCTC-B041
EMMC
SAMSUNG/三星
16GB
K3KLALA0DM-MGCU
LPDDR5X
MT62F4G32D8DV-023 WT:C
LPDDR5
MICRON/美光
128Gb
4G x32
8533MTPS
Production
-25C to +85C
CL = Programmable
H9JCNNNCP3MLYR-N6E
SK HYNIX
4GB
315Ball
6400Mbps
1.8V / 1.05V / 0.5V
CS
H9JCNNNFA5MLYR-N6E
SK hynix
8GB
H9JCNNNBK3MLYR-N6E
2GB
H54G56CYRBX247R
LPDDR4X
海力士
4266 Mbps
1.8V / 1.1V / 0.6V
-40°C ~ 105°C
200-Ball FBGA
H54G46CYRBX267
x32位
4266 Mbps
H54G26AYRPX066N
SK HYNIX/海力士
512MB(4Gb)
H58GJ6BK8HX151
24GB
x64位
6400 Mbps
1.01V ~ 1.12V
496-Ball FBGA
H58GG6CK8KX193R
16GB
7500 Mbps
H58G78DK98X114N
8533 Mbps
K3KL6L60GM-MHCT
16Gb
7500 Mbps
1.8V / 1.05V / 0.9V / 0.5V
-25°C ~ 85°C
315-Ball FBGA
K3KL4L40FM-BGCV
12GB
K3KL3L30CM-BGCT
1.8V、1.05V、0.9V、0.5V
约9mm × 8.8mm × 1.3mm
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