| 型号 | K4B4G1646E-BCNB |
| 类别 | DRAM DDR3 |
| 厂商 | SAMSUNG/三星 |
| 容量 | 4Gb |
| 架构 | 512Mx8 |
| 速率 | 2133Mbps |
| 工作电压 | 1.5V |
| 工作温度 | 0°C~85°C |
| 封装/外壳 | FBGA-96 |
| 生产状态 | Mass Production |
| 包装方式 | |
| 封装尺寸 | |
| 页-尺寸 | |
| 块-尺寸 | |
| 版本 | |
| 技术节点 | |
| 接口 | |
| 级别 | |
| FGBA代码 | |
| 功率 | |
| Mono-Density | |
| Cycle Time | |
| Part Family | |
| Model Name | |
| DRAM Density | |
| DRAM Mode | |
| Part Status | |
| Type | |
| 型号 | |
| 随机写入 | |
| 顺序读取 | |
| 顺序写入 | |
| 随机读取 | |
| DIMM 类型 | |
| 内存区块组织 | |
| 组件成分 | |
| eStorage 密度 | |
| DRAM 密度 | |
| DRAM 类型 |
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